MPSA12

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANS NPN DARL 20V TO-92
Date Sheet

Lagernummer 3000

1+： $0.11268
10+： $0.10630
100+： $0.10028
500+： $0.09461
1000+： $0.08925

Zwischensummenbetrag $0.11268

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-92-3
Вес：201mg
Диэлектрический пробой напряжение：20V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
Максимальная мощность рассеяния：625mW
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：20000
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2002
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：20V
Моментальный ток：10mA
Основной номер части：MPSA12
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：625mW
Мощность - Макс：625mW
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：20V
Максимальный ток сбора：100nA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20000 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 10μA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：20V
Максимальное напряжение разрушения：20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：20V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：10V
Прямоходящий ток коллектора：1.2A
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 3000

1+： $0.11268
10+： $0.10630
100+： $0.10028
500+： $0.09461
1000+： $0.08925

Итого $0.11268

аналогичные продукты

MPSA12 ON Semiconductor
от$0.112677 Со склада 3000
BC368 ON Semiconductor
Запрос Со склада 4000
BF959RL1G ON Semiconductor
Запрос Со склада 13500
BF959G ON Semiconductor
Запрос Со склада 3966

Телефон

MPSA12