MSB710-RT1G

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PNP 50V 0.5A SC-59
Date Sheet

Lagernummer 1850

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：200mW
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Collector-Emitter Saturation Voltage：-600mV
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：120
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-500mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：200mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600mV
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 30mA, 300mA
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1850

Итого $0.00000

аналогичные продукты

MSB710-RT1G ON Semiconductor
Запрос Со склада 1850
DTA143EUAT106 ROHM Semiconductor
Запрос Со склада 81000
DTA114EUAT106 ROHM Semiconductor
Запрос Со склада 16000
DTC143TUAT106 ROHM Semiconductor
Запрос Со склада 42000

Телефон

MSB710-RT1G