MPS6651G

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANS PNP 25V 1A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 328

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：25V
Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：50
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：-25V
Максимальная потеря мощности：625mW
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：1A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：100MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600mV
Максимальный ток сбора：1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 500mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 100mA, 1A
Частота перехода：100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：25V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：4V
Время выключения максимальное (toff)：75ns
Время включения максимальный (тон)：280ns
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 328

Итого $0.00000

аналогичные продукты

MPS6651G ON Semiconductor
Запрос Со склада 328
BC369ZL1 ON Semiconductor
Запрос Со склада 16000
MPS6651 ON Semiconductor
Запрос Со склада 15000

Телефон

MPS6651G