MJW21191G

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：150V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：8A
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：15
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-150V
Максимальная потеря мощности：125W
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：-4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：4MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2V
Максимальный ток сбора：8A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 4A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA
Код JEDEC-95：TO-247AE
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2V @ 1.6A, 8A
Частота перехода：4MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：150V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000

аналогичные продукты

MJW21191G ON Semiconductor
Запрос Со склада 0
MJW21192 ON Semiconductor
Запрос Со склада 6000
MJW21191 ON Semiconductor
Запрос Со склада 36688
MJW0302A ON Semiconductor
Запрос Со склада 8355
MJW0302AG ON Semiconductor
Запрос Со склада 678

Телефон

MJW21191G