D45C12

Lagernummer 153

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Collector-Emitter Saturation Voltage：135mV
Максимальный коллекторный ток (Ic)：4A
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：40
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный：-80V
Максимальная потеря мощности：30W
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：-4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：30W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：40MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 200mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 1A
Частота перехода：40MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：5V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 153

Итого $0.00000

аналогичные продукты

D45C12 ON Semiconductor
Запрос Со склада 153
KSB596YTU ON Semiconductor
от$1.290213 Со склада 4545
KSB1017YTU ON Semiconductor
от$1.446956 Со склада 17000
D45C11 ON Semiconductor
от$0.55715 Со склада 12888

Телефон

D45C12