BD675

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS NPN DARL 45V 4A TO225
Date Sheet

Lagernummer 731

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：750
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Ток постоянного напряжения - номинальный：45V
Максимальная потеря мощности：40W
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：BD675
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：40W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.5V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 1.5A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 30mA, 1.5A
Частота перехода：10MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Прямоходящий ток коллектора：4A
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 731

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BD675 ON Semiconductor
Запрос Со склада 731
MJE803G ON Semiconductor
Запрос Со склада 20888
BD675G ON Semiconductor
от$0.355505 Со склада 307
BD435G ON Semiconductor
от$0.5267592 Со склада 7

Телефон

BD675