Изображение служит лишь для справки

BC856ALT3G

Lagernummer 30000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество контактов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Диэлектрический пробой напряжение:65V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:-650mV
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):100MHz
  • Максимальная мощность рассеяния:300mW
  • Количество элементов:1
  • Минимальная частота работы в герцах:90
  • Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
  • Пакетирование:Tape & Reel (TR)
  • Опубликовано:2005
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
  • Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:-65V
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Моментальный ток:-100mA
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация элемента:Single
  • Полярность/Тип канала:PNP
  • Тип транзистора:PNP
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):650mV
  • Максимальный ток сбора:100mA
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:125 @ 2mA 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):15nA ICBO
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
  • Частота перехода:100MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-80V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
  • Состояние RoHS:RoHS Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 30000

Итого $0.00000

аналогичные продукты