Изображение служит лишь для справки
BC856ALT3G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 30000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:65V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:-650mV
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):100MHz
- Максимальная мощность рассеяния:300mW
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:90
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2005
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-65V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:-100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):650mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:125 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):15nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
- Частота перехода:100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-80V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 30000
Итого $0.00000
аналогичные продукты










