BD241C

Lagernummer 4580

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Монтаж：Surface Mount, Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
Диэлектрический пробой напряжение：25V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：3A
Минимальная частота работы в герцах：25
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2009
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Максимальная потеря мощности：40W
Моментальный ток：3A
Основной номер части：BD241
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Мощность - Макс：40W
Продуктивность полосы частот：3MHz
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2V
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：25 @ 1A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：300μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 600mA, 3A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：100V
Максимальное напряжение разрушения：100V
Частота - Переход：3MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：90V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 4580

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BD241C ON Semiconductor
Запрос Со склада 4580
TIP31CTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 66000
TIP31B ON Semiconductor
от$0.658721 Со склада 35400
KSD2012YTU ON Semiconductor
от$0.2667258 Со склада 2129

Телефон

BD241C