BC547AZL1G

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Минимальная частота работы в герцах：200
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Collector-Emitter Saturation Voltage：300mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：300MHz
Максимальная мощность рассеяния：625mW
Количество элементов：1
Опубликовано：2009
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Box (TB)
Код JESD-609：e1
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Дополнительная Характеристика：EUROPEAN PART NUMBER
Ток постоянного напряжения - номинальный：45V
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Частота：300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BC547
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：625mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода：300MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BC547AZL1G ON Semiconductor
Запрос Со склада 0
BC547ARL ON Semiconductor
Запрос Со склада 490
BC547ARLG ON Semiconductor
Запрос Со склада 702
BC547C ON Semiconductor
Запрос Со склада 18899

Телефон

BC547AZL1G