Изображение служит лишь для справки
BC558BRL
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- TRANS PNP 30V 0.1A TO-92
Date Sheet
Lagernummer 110
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):360MHz
- Максимальная мощность рассеяния:625mW
- Количество элементов:1
- Диэлектрический пробой напряжение:30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:-300mV
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Минимальная частота работы в герцах:180
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2005
- Код JESD-609:e0
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:EUROPEAN PART NUMBER
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.75
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-30V
- Положение терминала:BOTTOM
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Моментальный ток:-100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:BC558
- Код JESD-30:O-PBCY-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):650mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:180 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
- Частота перехода:360MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-30V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
- Без свинца:Contains Lead










