BC337-040G

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 5000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：625mW
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：210MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：250
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Ток постоянного напряжения - номинальный：45V
Положение терминала：BOTTOM
Моментальный ток：800mA
Частота：210MHz
Основной номер части：BC337
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：625mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：250 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода：210MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 5000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BC337-040G ON Semiconductor
Запрос Со склада 5000
BC337-25ZL1G ON Semiconductor
Запрос Со склада 253
BC337-40RL1G ON Semiconductor
Запрос Со склада 2000
BC337-40ZL1G ON Semiconductor
Запрос Со склада 27

Телефон

BC337-040G