Изображение служит лишь для справки
BC237G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
Date Sheet
Lagernummer 123
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:OBSOLETE (Last Updated: 23 hours ago)
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:200mV
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:120
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2006
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.75
- Ток постоянного напряжения - номинальный:45V
- Максимальная потеря мощности:350mW
- Положение терминала:BOTTOM
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Моментальный ток:100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:BC237
- Число контактов:3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Продуктивность полосы частот:200MHz
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):600mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:380 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):15nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA
- Частота перехода:200MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Прямоходящий ток коллектора:100mA
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free










