BC327-040G

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 587

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Collector-Emitter Saturation Voltage：-700mV
Максимальный коллекторный ток (Ic)：800mA
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：260MHz
Максимальная мощность рассеяния：625mW
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：250
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e1
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный：-45V
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：-800mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：BC327
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：700mV
Максимальный ток сбора：800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：250 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода：260MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 587

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BC327-040G ON Semiconductor
Запрос Со склада 587
BC327ZL1 ON Semiconductor
Запрос Со склада 0
BC327-016G ON Semiconductor
Запрос Со склада 455
BC327-16ZL1 ON Semiconductor
Запрос Со склада 553

Телефон

BC327-040G