BC307BG

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANS PNP 45V 0.1A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 496

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Collector-Emitter Saturation Voltage：-300mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：280MHz
Максимальная мощность рассеяния：350mW
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：200
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e1
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-45V
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-100mA
Частота：280MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BC307
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：350mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250mV
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода：280MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 496

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BC307BG ON Semiconductor
Запрос Со склада 496
BC307BZL1G ON Semiconductor
Запрос Со склада 406
BC307B ON Semiconductor
Запрос Со склада 117
BC557BZL1 ON Semiconductor
Запрос Со склада 243

Телефон

BC307BG