Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
KSH42CTM
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
Date Sheet
Lagernummer 32363
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Вес：260.37mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：100V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：3MHz
- Максимальная мощность рассеяния：20W
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：15
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2016
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Форма вывода：GULL WING
- Частота：3MHz
- Основной номер части：KSH42
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：1.75W
- Мощность - Макс：20W
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
- Максимальный ток сбора：6A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 3A 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 600mA, 6A
- Частота перехода：3MHz
- Максимальное напряжение разрушения：100V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 32363
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
