Изображение служит лишь для справки
BC847CTT1G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- SC-75, SOT-416
- TRANS NPN 45V 0.1A SC75-3
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- Корпус / Кейс:SC-75, SOT-416
- Вид крепления:Surface Mount
- Монтаж:Surface Mount
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Минимальная частота работы в герцах:270
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:200mW
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):100MHz
- Collector-Emitter Saturation Voltage:600mV
- Диэлектрический пробой напряжение:45V
- Опубликовано:2009
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:45V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:100mA
- Частота:100MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:BC847*TT
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:300mW
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Без галогенов:Halogen Free
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):45V
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:420 @ 2mA 5V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA
- Частота перехода:100MHz
- Максимальное напряжение разрушения:45V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Корпусировка на излучение:No
- Без свинца:Lead Free
Со склада 3000
Итого $0.00000
аналогичные продукты










