Изображение служит лишь для справки
MMBTA13
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 551
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:39 Weeks
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов:3
- Поставщик упаковки устройства:SOT-23-3
- Вес:30mg
- Минимальная частота работы в герцах:10000
- Диэлектрический пробой напряжение:30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.5V
- Максимальный коллекторный ток (Ic):1.2A
- Максимальная мощность рассеяния:350mW
- Количество элементов:1
- Опубликовано:2005
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный:30V
- Моментальный ток:1.2A
- Основной номер части:MMBTA13
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:350mW
- Мощность - Макс:350mW
- Тип транзистора:NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):30V
- Максимальный ток сбора:1.2A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:10000 @ 100mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.5V @ 100μA, 100mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):30V
- Максимальное напряжение разрушения:30V
- Частота - Переход:125MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):10V
- Ширина:1.3mm
- Высота:930μm
- Длина:2.92mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 551
Итого $0.00000
аналогичные продукты










