Изображение служит лишь для справки
2SD1816T-H
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- TRANS NPN 100V 4A TP
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:2 Weeks
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
- Поверхностный монтаж:NO
- Корпус / Кейс:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Вид крепления:Through Hole
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Минимальная частота работы в герцах:70
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:1W
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Опубликовано:2013
- Пакетирование:Bulk
- Рабочая температура:150°C TJ
- Код JESD-609:e6
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
- Положение терминала:SINGLE
- Основной номер части:2SD1816
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Мощность - Макс:1W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Без галогенов:Halogen Free
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
- Максимальный ток сбора:4A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:200 @ 500mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:400mV @ 200mA, 2A
- Частота перехода:180MHz
- Частота - Переход:180MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
аналогичные продукты










