Изображение служит лишь для справки
FZT3019
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
Lagernummer 23100
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 13 hours ago)
- Корпус / Кейс:TO-261-4, TO-261AA
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Количество контактов:4
- Вес:188mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Минимальная частота работы в герцах:100
- Диэлектрический пробой напряжение:80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:500mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):100MHz
- Максимальная мощность рассеяния:1W
- Количество элементов:1
- Опубликовано:2004
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:80V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Моментальный ток:1A
- Частота:100MHz
- Основной номер части:FZT3019
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:1W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80V
- Максимальный ток сбора:1A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 150mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):10nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 500mA
- Частота перехода:100MHz
- Максимальное напряжение разрушения:80V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):140V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):7V
- Ширина:3.5mm
- Высота:1.6mm
- Длина:6.5mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 23100
Итого $0.00000
аналогичные продукты










