Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
BCP56
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- TRANS NPN 80V 1.2A SOT-223
Date Sheet
Lagernummer 3203
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя：21 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：SOT-223-4
- Вес：188mg
- Диэлектрический пробой напряжение：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：50V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：1.2A
- Максимальная мощность рассеяния：1W
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：40
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2017
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
- Моментальный ток：1.2A
- Основной номер части：BCP56
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：1W
- Мощность - Макс：1W
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
- Максимальный ток сбора：1.2A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80V
- Максимальное напряжение разрушения：80V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Высота：1.6mm
- Длина：6.5mm
- Ширина：3.5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3203
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
