2SD1815T-E

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin(3 Tab) TP Bag
Date Sheet

Lagernummer 159

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Collector-Emitter Saturation Voltage：150mV
Максимальный коллекторный ток (Ic)：3A
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：180MHz
Максимальная мощность рассеяния：1W
Количество элементов：1
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2016
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Частота：130MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：2SD1815
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1W
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 500mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 150mA, 1.5A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 159

Итого $0.00000

аналогичные продукты

2SD1815T-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 159
2SD1816S-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 541
2SD1815S-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 49
2SC4134S-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 786

Телефон

2SD1815T-E