Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
FMB100
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R
Date Sheet
Lagernummer 9000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество контактов：6
- Вес：36mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400mV
- Количество элементов：2
- Минимальная частота работы в герцах：100
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：45V
- Максимальная потеря мощности：700mW
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：500mA
- Частота：300MHz
- Основной номер части：FMB100
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：700mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Продуктивность полосы частот：300MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
- Максимальный ток сбора：500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 20mA, 200mA
- Частота перехода：300MHz
- Максимальное напряжение разрушения：45V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：75V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 9000
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
