Изображение служит лишь для справки
KSA812YMTF
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
Date Sheet
Lagernummer 267800
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов:3
- Вес:30mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:-180mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):180MHz
- Максимальная мощность рассеяния:150mW
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:90
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2001
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-50V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Моментальный ток:-100mA
- Частота:180MHz
- Основной номер части:KSA812
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:150mW
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):50V
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:135 @ 1mA 6V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
- Частота перехода:180MHz
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-60V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):-5V
- Высота:970μm
- Длина:2.9mm
- Ширина:1.3mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 267800
Итого $0.00000
аналогичные продукты










