Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
KSH122TM
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 44689
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Вес：260.37mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：1000
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
- Максимальная потеря мощности：1.75W
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：8A
- Основной номер части：KSH122
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
- Максимальный ток сбора：8A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 4A 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA
- Код JEDEC-95：TO-252AA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：4V @ 80mA, 8A
- Максимальное напряжение разрушения：100V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 44689
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
