Изображение служит лишь для справки
QSX5TR
-
ROHM Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- TRANS NPN 12V 2A TSMT6
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:12V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:90mV
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:270
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2004
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.75
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-12V
- Максимальная потеря мощности:1.25W
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:2A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):10
- Основной номер части:QSX
- Конфигурация элемента:Single
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Продуктивность полосы частот:360MHz
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):12V
- Максимальный ток сбора:2A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:270 @ 200mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:180mV @ 50mA, 1A
- Частота перехода:360MHz
- Максимальное напряжение разрушения:12V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):15V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 3000
Итого $0.00000
аналогичные продукты










