Изображение служит лишь для справки

KSH112GTM

Lagernummer 572

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Монтаж:Surface Mount
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Диэлектрический пробой напряжение:100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:2V
  • Количество элементов:1
  • Рабочая температура:150°C TJ
  • Пакетирование:Tape & Reel (TR)
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:100V
  • Максимальная потеря мощности:1.75W
  • Моментальный ток:2A
  • Основной номер части:KSH112
  • Направленность:NPN
  • Конфигурация элемента:Single
  • Распад мощности:20W
  • Тип транзистора:NPN - Darlington
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
  • Максимальный ток сбора:2A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:1000 @ 2A 3V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):20μA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
  • Частота - Переход:25MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
  • Прямоходящий ток коллектора:2A
  • Состояние RoHS:RoHS Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 572

Итого $0.00000

аналогичные продукты

  • KSH112GTM ON Semiconductor

    Запрос Со склада 572

  • 2DB1182Q-13 Diodes Incorporated

    от$0.504979 Со склада 27500