Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 561

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-220-3
  • Поставщик упаковки устройства:TO-220-3
  • Диэлектрический пробой напряжение:60V
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):3A
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):9MHz
  • Максимальная мощность рассеяния:1.5W
  • Количество элементов:1
  • Минимальная частота работы в герцах:60
  • Рабочая температура:150°C TJ
  • Пакетирование:Bulk
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Максимальная рабочая температура:150°C
  • Минимальная температура работы:-55°C
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:-60V
  • Моментальный ток:-3A
  • Частота:9MHz
  • Основной номер части:KSB834
  • Направленность:PNP
  • Конфигурация элемента:Single
  • Распад мощности:1.5W
  • Мощность - Макс:1.5W
  • Тип транзистора:PNP
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1V
  • Максимальный ток сбора:3A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 500mA 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):100μA ICBO
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1V @ 300mA, 3A
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60V
  • Частота - Переход:9MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-60V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):-7V
  • Состояние RoHS:RoHS Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 561

Итого $0.00000

аналогичные продукты

  • KSB834Y ON Semiconductor

    Запрос Со склада 561

  • KSB1015YTU ON Semiconductor

    от$0.109609 Со склада 1380

  • KSE45H8TU ON Semiconductor

    от$0.921294 Со склада 206

  • KSB1366G ON Semiconductor

    Запрос Со склада 651