Изображение служит лишь для справки

PN200RM

Lagernummer 191

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Количество контактов:3
  • Вес:201mg
  • Диэлектрический пробой напряжение:45V
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):250MHz
  • Максимальная мощность рассеяния:625mW
  • Количество элементов:1
  • Минимальная частота работы в герцах:100
  • Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
  • Пакетирование:Tape & Box (TB)
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:-45V
  • Моментальный ток:-500mA
  • Частота:250MHz
  • Основной номер части:PN200
  • Конфигурация элемента:Single
  • Распад мощности:625mW
  • Тип транзистора:PNP
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):45V
  • Максимальный ток сбора:500mA
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 150mA 1V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):50nA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:400mV @ 20mA, 200mA
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
  • Корпусировка на излучение:No
  • Состояние RoHS:RoHS Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 191

Итого $0.00000

аналогичные продукты

  • PN200RM ON Semiconductor

    Запрос Со склада 191

  • 2N4403TF ON Semiconductor

    от$0.245174 Со склада 30000

  • 2N4403TAR ON Semiconductor

    от$0.290576 Со склада 33000

  • 2N4403RLRPG ON Semiconductor

    Запрос Со склада 530