MPS3703

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANS PNP 30V 0.8A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 86448

1+： $0.09038
10+： $0.08526
100+： $0.08044
500+： $0.07588
1000+： $0.07159

Zwischensummenbetrag $0.09038

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-92-3
Диэлектрический пробой напряжение：30V
Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
Максимальный коллекторный ток (Ic)：800mA
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：100MHz
Максимальная мощность рассеяния：625mW
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：30
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：-30V
Моментальный ток：-800mA
Частота：100MHz
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：625mW
Мощность - Макс：625mW
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：30V
Максимальный ток сбора：800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 50mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：30V
Частота - Переход：100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 86448

1+： $0.09038
10+： $0.08526
100+： $0.08044
500+： $0.07588
1000+： $0.07159

Итого $0.09038

аналогичные продукты

MPS3703 ON Semiconductor
от$0.0903789 Со склада 86448
MPSA65 ON Semiconductor
Запрос Со склада 286
KSB564AOBU ON Semiconductor
Запрос Со склада 340
BC32825 ON Semiconductor
от$0.1013382 Со склада 10662

Телефон

MPS3703