BU406

Lagernummer 20

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：200V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：10MHz
Максимальная мощность рассеяния：60W
Количество элементов：1
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：150V
Моментальный ток：7A
Частота：10MHz
Основной номер части：BU406
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：60W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：200V
Максимальный ток сбора：7A
Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 500mA, 5A
Частота перехода：10MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：400V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：10
Максимальное напряжение на выходе：1 V
Время выключения максимальное (toff)：750ns
Высота：9.15mm
Длина：10.4mm
Ширина：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 20

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BU406 STMicroelectronics
Запрос Со склада 20
BU406TU ON Semiconductor
Запрос Со склада 4000
BU406 ON Semiconductor
Запрос Со склада 30000
BU407 ON Semiconductor
Запрос Со склада 132601
KSD401G ON Semiconductor
Запрос Со склада 627

Телефон

BU406