BD535

Lagernummer 19

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Collector-Emitter Saturation Voltage：800mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：12MHz
Максимальная мощность рассеяния：50W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：20
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Моментальный ток：8A
Основной номер части：BD535
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：50W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：8A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：25 @ 2A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：800mV @ 600mA, 6A
Частота перехода：12MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Максимальное напряжение на выходе：0.8 V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 19

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BD535 STMicroelectronics
Запрос Со склада 19
D44H8 ON Semiconductor
Запрос Со склада 35000
BDX53ATU ON Semiconductor
Запрос Со склада 1882
KSE3055TTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 3440

Телефон

BD535