BUT11

Lagernummer 285

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：400V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
Максимальная мощность рассеяния：100W
Количество элементов：1
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Ток постоянного напряжения - номинальный：400V
Моментальный ток：5A
Основной номер части：BUT11
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：100W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400V
Максимальный ток сбора：5A
Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 600mA, 3A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：850V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：9V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 285

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BUT11 ON Semiconductor
Запрос Со склада 285
BUT11ATU ON Semiconductor
от$0.799372 Со склада 6000
BUT11A ON Semiconductor
от$1.99428 Со склада 100
BUT11TU ON Semiconductor
от$0.567132 Со склада 5800

Телефон

BUT11