BD239BTU

Lagernummer 271

1+： $0.88702
10+： $0.83681
100+： $0.78944
500+： $0.74476
1000+： $0.70260

Zwischensummenbetrag $0.88702

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：15
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
Максимальная потеря мощности：30W
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：2A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：BD239
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：30W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：90V
Максимальный ток сбора：2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 1A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：300μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 200mA, 1A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：15.7mm
Длина：9.9mm
Ширина：4.5mm
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 271

1+： $0.88702
10+： $0.83681
100+： $0.78944
500+： $0.74476
1000+： $0.70260

Итого $0.88702

аналогичные продукты

BD239BTU ON Semiconductor
от$0.8870184 Со склада 271
TIP112TU ON Semiconductor
Запрос Со склада 102
TIP29A ON Semiconductor
Запрос Со склада 35400
TIP41C ON Semiconductor
Запрос Со склада 50000

Телефон

BD239BTU