BD681STU

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126
Date Sheet

Lagernummer 783

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：19 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Количество контактов：3
Вес：761mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：750
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Максимальная потеря мощности：40W
Моментальный ток：4A
Основной номер части：BD681
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 1.5A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 30mA, 1.5A
Частота перехода：10MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Прямоходящий ток коллектора：4A
Высота：11mm
Длина：8mm
Ширина：3.25mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 783

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BD681STU ON Semiconductor
Запрос Со склада 783
BD679AS ON Semiconductor
от$1.785009 Со склада 4000
BD679ASTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 32363
BD681S ON Semiconductor
от$0.3871305 Со склада 1041

Телефон

BD681STU