FJPF2145TU

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-220-3 Full Pack
TRANS NPN 800V 5A TO-220F
Date Sheet

Lagernummer 40

1+： $2.80568
10+： $2.64687
100+： $2.49704
500+： $2.35570
1000+： $2.22236

Zwischensummenbetrag $2.80568

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：5 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Количество контактов：3
Вес：2.27g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：800V
Collector-Emitter Saturation Voltage：159mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：15MHz
Максимальная мощность рассеяния：40W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：20
Рабочая температура：-55°C~125°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：ESBC™
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：40W
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：800V
Максимальный ток сбора：5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 200mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2V @ 300mA, 1.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Частота перехода：28.4MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：1.1kV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
Высота：16.07mm
Длина：10.36mm
Ширина：4.9mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 40

1+： $2.80568
10+： $2.64687
100+： $2.49704
500+： $2.35570
1000+： $2.22236

Итого $2.80568

аналогичные продукты

FJPF2145TU ON Semiconductor
от$2.8056792 Со склада 40
FJPF5027OTU ON Semiconductor
от$1.676985 Со склада 57
FJPF5027RTU ON Semiconductor
от$0.634025 Со склада 12325

Телефон

FJPF2145TU