KSD526YTU

Lagernummer 38658

1+： $2.05855
10+： $1.94203
100+： $1.83210
500+： $1.72840
1000+： $1.63057

Zwischensummenbetrag $2.05855

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Collector-Emitter Saturation Voltage：450mV
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：40
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
Максимальная потеря мощности：30W
Моментальный ток：4A
Частота：8MHz
Основной номер части：KSD526
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：30W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：8MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 500mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：30μA ICBO
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 300mA, 3A
Частота перехода：8MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：18.95mm
Длина：9.9mm
Ширина：4.5mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 38658

1+： $2.05855
10+： $1.94203
100+： $1.83210
500+： $1.72840
1000+： $1.63057

Итого $2.05855

аналогичные продукты

KSD526YTU ON Semiconductor
от$2.058552 Со склада 38658
KSD526Y ON Semiconductor
от$1.737809 Со склада 28000
KSD1408YTU ON Semiconductor
от$1.639441 Со склада 4000
KSD1408OTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 405

Телефон

KSD526YTU