KSE800STU

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
Date Sheet

Lagernummer 565

1+： $1.14740
10+： $1.08245
100+： $1.02118
500+： $0.96338
1000+： $0.90885

Zwischensummenbetrag $1.14740

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Вес：761mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：40W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：750
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2017
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Моментальный ток：4A
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 1.5A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 30mA, 1.5A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 565

1+： $1.14740
10+： $1.08245
100+： $1.02118
500+： $0.96338
1000+： $0.90885

Итого $1.14740

аналогичные продукты

KSE800STU ON Semiconductor
от$1.1473974 Со склада 565
MJE800STU ON Semiconductor
Запрос Со склада 150
BD677AS ON Semiconductor
Запрос Со склада 248
BD677ASTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 11520

Телефон

KSE800STU