Изображение служит лишь для справки
2SB1215T-H
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- TRANS PNP 100V 3A TP
Date Sheet
Lagernummer 9
- 1+: $0.37139
- 10+: $0.35037
- 100+: $0.33054
- 500+: $0.31183
- 1000+: $0.29418
Zwischensummenbetrag $0.37139
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:3
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Максимальная мощность рассеяния:1W
- Минимальная частота работы в герцах:70
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e6
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:2SB1215
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:1W
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):500mV
- Максимальный ток сбора:3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:200 @ 500mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 150mA, 1.5A
- Частота - Переход:130MHz
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):-6V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 9
- 1+: $0.37139
- 10+: $0.35037
- 100+: $0.33054
- 500+: $0.31183
- 1000+: $0.29418
Итого $0.37139
аналогичные продукты










