BD436S

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
Trans GP BJT PNP 32V 4A 3-Pin(3 Tab) TO-126 Bulk
Date Sheet

Lagernummer 262

1+： $0.92173
10+： $0.86956
100+： $0.82034
500+： $0.77390
1000+： $0.73010

Zwischensummenbetrag $0.92173

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Количество контактов：3
Вес：761mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：32V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：50
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-32V
Максимальная потеря мощности：36W
Моментальный ток：-4A
Частота：3MHz
Основной номер части：BD436
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：36W
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：3MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：32V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 2A
Частота перехода：3MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-32V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 262

1+： $0.92173
10+： $0.86956
100+： $0.82034
500+： $0.77390
1000+： $0.73010

Итого $0.92173

аналогичные продукты

BD436S ON Semiconductor
от$0.9217305 Со склада 262
BD434S ON Semiconductor
от$1.069643 Со склада 3785
BD436STU ON Semiconductor
от$1.152167 Со склада 410
BD434STU ON Semiconductor
от$0.4299993 Со склада 1474

Телефон

BD436S