2SB1205T-TL-E

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Date Sheet

Lagernummer 2000

1+： $1.00504
10+： $0.94815
100+： $0.89448
500+： $0.84385
1000+： $0.79609

Zwischensummenbetrag $1.00504

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：320MHz
Максимальная мощность рассеяния：1W
Минимальная частота работы в герцах：200
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5A
Collector-Emitter Saturation Voltage：-250mV
Диэлектрический пробой напряжение：20V
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Код соответствия REACH：not_compliant
Основной номер части：2SB1205
Конфигурация элемента：Single
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：-500mV
Максимальный ток сбора：5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 60mA, 3A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-25V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2000

1+： $1.00504
10+： $0.94815
100+： $0.89448
500+： $0.84385
1000+： $0.79609

Итого $1.00504

аналогичные продукты

2SB1205T-TL-E ON Semiconductor
от$1.00504 Со склада 2000
MJD210G ON Semiconductor
от$0.792668 Со склада 6585
MJD210T4G ON Semiconductor
от$0.69665 Со склада 15000
MJD350-13 Diodes Incorporated
от$0.839458 Со склада 38880
2SB1205S-TL-E ON Semiconductor
от$0.299651 Со склада 700

Телефон

2SB1205T-TL-E