BD438G

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS PNP 45V 4A TO-225AA
Date Sheet

Lagernummer 243

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：30
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2003
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-45V
Максимальная потеря мощности：36W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-4A
Частота：3MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BD438
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：36W
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Halogen Free
Продуктивность полосы частот：3MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：85 @ 500mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 300mA, 3A
Частота перехода：3MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 243

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BD438G ON Semiconductor
Запрос Со склада 243
BD676G ON Semiconductor
от$0.33948 Со склада 175
BD436TG ON Semiconductor
Запрос Со склада 8000
BD676AG ON Semiconductor
от$0.546992 Со склада 15

Телефон

BD438G