Изображение служит лишь для справки
2SC3649S-TD-H
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-243AA
- GP BJT
Date Sheet
Lagernummer 15000
- 1+: $0.27175
- 10+: $0.25637
- 100+: $0.24185
- 500+: $0.22816
- 1000+: $0.21525
Zwischensummenbetrag $0.27175
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя:2 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-243AA
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:160V
- Максимальная мощность рассеяния:500mW
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:100
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2012
- Код JESD-609:e6
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.75
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Основной номер части:2SC3649
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Мощность - Макс:500mW
- Без галогенов:Halogen Free
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):160V
- Максимальный ток сбора:1.5A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:140 @ 100mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:450mV @ 50mA, 500mA
- Частота перехода:120MHz
- Частота - Переход:120MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):180V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):-6V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 15000
- 1+: $0.27175
- 10+: $0.25637
- 100+: $0.24185
- 500+: $0.22816
- 1000+: $0.21525
Итого $0.27175
аналогичные продукты










