Изображение служит лишь для справки
STT818B
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- SOT-23-6
- TRANS PNP 30V 3A SOT23-6
Date Sheet
Lagernummer 15000
- 1+: $0.70672
- 10+: $0.66672
- 100+: $0.62898
- 500+: $0.59338
- 1000+: $0.55979
Zwischensummenbetrag $0.70672
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-6
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:-210mV
- Максимальная мощность рассеяния:1.2W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:100
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-30V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:-3A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:STT818
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:1.2W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):30V
- Максимальный ток сбора:3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 500mA 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 20mA, 2A
- Максимальное напряжение разрушения:30V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Высота:1.3mm
- Длина:3.05mm
- Ширина:1.75mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 15000
- 1+: $0.70672
- 10+: $0.66672
- 100+: $0.62898
- 500+: $0.59338
- 1000+: $0.55979
Итого $0.70672










