Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
2N5771
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS PNP 15V 0.2A TO-92
Date Sheet
Lagernummer 278
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-92-3
- Вес：201mg
- Диэлектрический пробой напряжение：15V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：200mA
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：8.5MHz
- Максимальная мощность рассеяния：350mW
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：50
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Завершение：Through Hole
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-15V
- Моментальный ток：-200mA
- Частота：8.5MHz
- Основной номер части：2N5771
- Направленность：PNP
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：350mW
- Мощность - Макс：350mW
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：15V
- Максимальный ток сбора：200mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 10mA 300mV
- Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：15V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：15V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：4.5V
- Высота：12.7mm
- Длина：12.7mm
- Ширина：12.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
