2SA2039-E

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Trans GP BJT PNP 50V 5A 3-Pin(3 Tab) TP Bag
Date Sheet

Lagernummer 2

1+： $0.62700
10+： $0.59151
100+： $0.55803
500+： $0.52644
1000+： $0.49664

Zwischensummenbetrag $0.62700

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5A
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：200
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Максимальная потеря мощности：800mW
Положение терминала：SINGLE
Частота：360MHz
Основной номер части：2SA2039
Число контактов：3
Конфигурация：SINGLE
Распад мощности：800mW
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：430mV @ 100mA, 2A
Частота перехода：360MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2

1+： $0.62700
10+： $0.59151
100+： $0.55803
500+： $0.52644
1000+： $0.49664

Итого $0.62700

аналогичные продукты

2SA2039-E ON Semiconductor
от$0.627 Со склада 2
2SA2126-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 172
2SA2126-H ON Semiconductor
от$0.415228 Со склада 26
2SA2039-H ON Semiconductor
от$0.522928 Со склада 2763

Телефон

2SA2039-E