Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
MJE253G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS PNP 100V 4A TO225AA
Date Sheet
Lagernummer 15000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：5 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Вес：4.535924g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：40MHz
- Максимальная мощность рассеяния：15W
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：40
- Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2006
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-100V
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：-4A
- Частота：40MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：1.5W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Без галогенов：Halogen Free
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
- Максимальный ток сбора：4A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 200mA 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 100mA, 1A
- Частота перехода：40MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
- Высота：11.04mm
- Длина：7.74mm
- Ширина：2.66mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
