FJPF3305H2TU

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-220-3 Full Pack
TRANS NPN 400V 4A TO-220F
Date Sheet

Lagernummer 633

1+： $1.66122
10+： $1.56719
100+： $1.47848
500+： $1.39479
1000+： $1.31584

Zwischensummenbetrag $1.66122

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Количество контактов：3
Вес：2.27g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：400V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：4MHz
Максимальная мощность рассеяния：30W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：8
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：400V
Моментальный ток：4A
Частота：4MHz
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：30W
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：26 @ 1A 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA ICBO
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 1A, 4A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：700V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：9V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 633

1+： $1.66122
10+： $1.56719
100+： $1.47848
500+： $1.39479
1000+： $1.31584

Итого $1.66122

аналогичные продукты

FJPF3305H2TU ON Semiconductor
от$1.661222 Со склада 633
FJP5304DTU ON Semiconductor
от$1.3841838 Со склада 979
FJPF3305TU ON Semiconductor
от$0.4142682 Со склада 30784

Телефон

FJPF3305H2TU