Изображение служит лишь для справки
KSD2012GTU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3 Full Pack
- TRANS NPN 60V 3A TO-220F
Date Sheet
Lagernummer 33000
- 1+: $1.84342
- 10+: $1.73907
- 100+: $1.64063
- 500+: $1.54777
- 1000+: $1.46016
Zwischensummenbetrag $1.84342
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack
- Количество контактов:3
- Вес:2.27g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:400mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):3MHz
- Максимальная мощность рассеяния:25W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:100
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2000
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:60V
- Моментальный ток:3A
- Частота:3MHz
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:25W
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):60V
- Максимальный ток сбора:3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:150 @ 500mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1V @ 200mA, 2A
- Частота перехода:3MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):7V
- Высота:15.87mm
- Длина:10.16mm
- Ширина:2.54mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 33000
- 1+: $1.84342
- 10+: $1.73907
- 100+: $1.64063
- 500+: $1.54777
- 1000+: $1.46016
Итого $1.84342
аналогичные продукты










