BDW93C

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-220-3
Trans Darlington NPN 100V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet

Lagernummer 1100

1+： $1.21599
10+： $1.14716
100+： $1.08223
500+： $1.02097
1000+： $0.96318

Zwischensummenbetrag $1.21599

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
Максимальная мощность рассеяния：80W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：100
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Моментальный ток：12A
Основной номер части：BDW93
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：80W
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：12A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 5A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：3V @ 100mA, 10A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：2.5V
Максимальное напряжение на выходе：3 V
Высота：9.15mm
Длина：10.4mm
Ширина：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1100

1+： $1.21599
10+： $1.14716
100+： $1.08223
500+： $1.02097
1000+： $0.96318

Итого $1.21599

аналогичные продукты

BDW93C STMicroelectronics
от$1.215994 Со склада 1100
TIP102TU ON Semiconductor
Запрос Со склада 452
BDW93C ON Semiconductor
Запрос Со склада 38658
TIP41C ON Semiconductor
Запрос Со склада 50000

Телефон

BDW93C