BUL510

Lagernummer 139

1+： $2.77100
10+： $2.61415
100+： $2.46618
500+： $2.32659
1000+： $2.19489

Zwischensummenbetrag $2.77100

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：450V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
Максимальная мощность рассеяния：100W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：15
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：450V
Моментальный ток：10A
Основной номер части：BUL510
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：100W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：450V
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 1A 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：250μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 1.25A, 5A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：1kV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：9V
Высота：9.15mm
Длина：10.4mm
Ширина：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 139

1+： $2.77100
10+： $2.61415
100+： $2.46618
500+： $2.32659
1000+： $2.19489

Итого $2.77100

аналогичные продукты

BUL510 STMicroelectronics
от$2.771001 Со склада 139
FJP13009H2TU ON Semiconductor
от$4.16237 Со склада 5000
FJP5555TU ON Semiconductor
от$1.488882 Со склада 28000
MJE3055TTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 500

Телефон

BUL510